氧化硅與氮化硅薄膜窗格比較：
相比氮化硅薄膜，氧化硅薄膜更適合用于含氮樣本。在EDS研究中，如基片薄膜含氮，則會與樣本造成混淆。
樣本安置面：
對多數(shù)用戶來說，樣本應(yīng)安置在薄膜窗格的“覆膜面”而非“蝕坑面”。但我們也知道在***些特殊情況下，蝕坑面也可安置樣本。除對樣本進(jìn)行原子力顯微鏡（AFM）觀測外，蝕坑面本質(zhì)上并非不可用于放置樣本。實際上，沒有***個顯微鏡的懸臂可以伸至蝕坑內(nèi)“看清”薄膜表面。
氧化硅薄膜窗特點(diǎn)：
清洗：采用等離子清洗，無有機(jī)物殘留，改善成像質(zhì)量；
均勻性：減少了不同區(qū)域的不均勻性；
穩(wěn)定性： 耐高溫，>1000℃；
良好的化學(xué)穩(wěn)定性：圖像分辨率和機(jī)械強(qiáng)度達(dá)到理想的平衡；
化學(xué)計量比的SiO2：可用于氮?dú)猸h(huán)境下的EDX分析；
氧化硅薄膜窗規(guī)格
窗口類型 | 薄膜厚度 | 窗口尺寸 | 框架尺寸 | 框架厚度 |
| 20nm | 2x1陣列，100X1500μm | Φ3mm | 200μm |
40nm | 2x1陣列，100X1500μm | Φ3mm | 200μm |
| 20nm | 3x3陣列，窗口100X100μm | Φ3mm | 200μm |
100nm | 3x3陣列，窗口100X100μm | Φ3mm | 200μm |
| 8nm | 窗口0.5x0.5mm，氮化硅薄膜200nm；24個網(wǎng)格，網(wǎng)格大小70x70μm | Φ3mm | 200μm |
18nm | 窗口0.5x0.5mm，氮化硅薄膜200nm；24個網(wǎng)格，網(wǎng)格大小60x60μm | Φ3mm | 200μm |
40nm | 窗口0.5x0.5mm，氮化硅薄膜200nm；24個網(wǎng)格，網(wǎng)格大小50x50μm | Φ3mm | 200μm |
優(yōu)點(diǎn)：
應(yīng)用：
氧化硅薄膜應(yīng)用范圍非常廣，甚至有時使不可能變?yōu)榭赡埽袘?yīng)用都有無氮要求（因樣本中有氮存在）：
● 惰性基片可用于高溫環(huán)境下，通過TEM、SEM或AFM（某些情況下）對反應(yīng)進(jìn)行動態(tài)觀察。
● 作為耐用（如“強(qiáng)力”）基片，***先在TEM下，然后在SEM下對同***區(qū)域進(jìn)行“匹配”。
● 作為耐用匹配基片，對AFM和TEM圖像進(jìn)行比較。
● 聚焦離子束（FIB）樣本的裝載，我們推薦使用多孔薄膜，而非不間斷薄膜。
氧化硅薄膜TEM網(wǎng)格操作使用：
如果正確操作，氧化硅薄膜將會擁有非常好的性能。相反，若用工具直接接觸薄膜，則會即刻損壞薄膜。為防損壞，可用尖嘴鑷子小心夾取，就像夾取其他TEM網(wǎng)格***樣。
使用前清潔：
氧化硅薄膜窗格在使用前不需進(jìn)行額外清潔。有時薄膜表面邊角處會散落個別氧化物或氮化物碎片。由于單片網(wǎng)格需要從整個硅片中分離，并對外框進(jìn)行打磨，因此這些微小碎片不可避免。盡管如此，我們相信這些碎片微粒不會對您的實驗產(chǎn)生任何影響。
如果用戶確實需要對這些碎片進(jìn)行清理，我們建議用H2SO4 : H2O2 (1:1)溶液清潔有機(jī)物，用H2O:HCl: H2O2(5:3:3)溶液清潔金屬。
通常不能用超聲波清洗器清潔薄膜，因超聲波可能使其粉碎性破裂。
滬公網(wǎng)安備31011502016460號
